Глубокая очистка тетрахлорида кремния методом ректификации

Глубокая очистка тетрахлорида кремния методом ректификации на сайте skorost-tv.ru



Рассмотрены различные методы глубокой очистки тетраэтоксисилана. Ключевые слова: тетраэтоксисилан; очистка; ректификация. Лабораторная методика получения особо чистой синтетической двуокиси кремния на основе тетрахлорида кремния.

Ключевые слова: тетрахлорид кремния, глубокая очистка, ректификация, моделирование. Тетрахлорид кремния используют для получения эпитаксиальных пленок. Для этого ТХК подвергают глубокой очистке от примесей методом ректификации на колонне со сред-ним...

Моносилан далее подвергают фракционированной перегонке, а тетрахлорид кремния - глубокой очистке методом ректификации. Содержимое питателя периодически отбирают в ректификационную колонну со средним питающим резервуаром для выделения и...

Ректификационная очистка тетрахлорида титана основана на различии в температурах кипения Ректификацию осуществляют в специальных колоннах из нержавеющей стали с дырчатыми На первой стадии от тетрахлорида титана отделяют тетрахлорид кремния...

Наиболее эффективным методом очистки является ректификация, однако осуществить полную и глубокую очистку от примесей Извлечение кремния из SiCl4 и SiJ4 осуществляют восстановлением тетрахлорида кремния цинком либо термической диссоциацией тетраиодида.

Выделяемый в результате разделения тетрахлорид кремния в дальнейшем используют для производства силиконов, кварцевого Наиболее эффективным методом очистки является ректификация, однако осуществить полную и глубокую очистку от примесей, имеющих...

Различные методы очистки полупроводников дают возможность получать продукт требуемой чистоты. Старейшим методом разложения тетрахлорида кремния является метод выдающегося русского химика академика Н.Н. Бекетова.

Разработка аппаратурно-технологической схемы разделения и глубокой очистки хлорсиланов методом ректификации под повышенным давлением 114. Усовершенствование технологий очистки тетрахлорида кремния и три-хлорсилана, полученных на производстве...

Очистка хлоридов методом частичного гидролиза . . ... . 16 1.1.4. Очистка тетрахлорида кремния и ТХС 1. глубокая очистка исходных веществ. 9. два порядка выше, однако реальную чистоту его оценить трудно в связи с возможностью...

-очистка моносилана кремния ректификацией (остаточное. принципиальная технологическая схема получения поликристаллического кремния из тетрахлорида, применяемая фирмой Radyne Очистка производится химическими способами, методом глубокого охлаждения...

Очистка технического тетрахлорида кремния слагается из нескольких последовательно осуществляемых способов очистки, например Очистка SiCl4 и SiHClz ректификацией Ректификация является весьма эффективным методом для разделения SiCl4 и SiHCl3.

Физико -химические основы глубокой очистки летучих неорганических гидридов методом ректификации при повышенном давлении. 48. Мочалов Г.М., Суворов С.С., Шаров А.Ю. и др. Кинетика глубокой очистки тетрахлорида кремния методом ректификации на колонне со...

Наиболее эффективным методом очистки является ректификация, однако осуществить полную и глубокую очистку от примесей Извлечение кремния из SiCl4 и SiJ4 осуществляют восстановлением тетрахлорида кремния цинком либо термической диссоциацией тетраиодида.

Более глубокая очистка тетрахлорида кремния достигается адсорбционными методами. Эффективность очистки повышается, если до адсорбции тетрахлорид кремния обрабатывают хлором или хлором совместно с хлористым алюминием.
Картинка из кино : Более глубокая очистка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа...